• русский
      Language Translation
    • English
    • Deutschl
    • Italia
    • France
    • España
    • 대한민국
    • 日本语
    • русский
Главная › Категории продукта › Дискретный полупроводник › Тиристоры - DIAC, SIDAC › BR100/03,113
BR100/03,113

BR100/03,113 - NXP USA Inc.

номер части
BR100/03,113
производитель
NXP USA Inc.
Краткое описание
DIAC 28-36V 2A ALF2
Бессвинцовый статус / RoHS Статус
Бессвинцовый / Соответствует RoHS
Онлайн-просмотр данных
BR100/03,113 Просмотр PDF в Интернете
Скачать PDF-файл
BR100/03,113.pdf
категория
Тиристоры - DIAC, SIDAC
Срок поставки
1 Day
Код даты
New
Количество на складе
4328 pcs
Справочная цена
USD 0/pcs
Наша цена
Отправить по электронной почте: [email protected]

Пожалуйста, заполните форму ниже, чтобы запросить котировку BR100/03,113

BR100/03,113 Подробное описание

номер части BR100/03,113
Статус детали Obsolete
Напряжение - перерыв 28 ~ 36V
Текущий - перерыв 50µA
Ток - Удержание (Ih) (Макс.) -
Ток - пиковый выход 2A
Рабочая Температура 100°C (TJ)
Упаковка / чехол DO-204AH, DO-35, Axial
Пакет устройств поставщика ALF2
Вес -
Страна происхождения -

СВЯЗАННЫЕ ПРОДУКТЫ ДЛЯ BR100/03,113

Образ номер части Производители Описание Посмотреть
BR10 BR10 SEMTECH 10A SINGLE - PHASE SILICON BRIDGE подробности
BR10.7 BR10.7 KINGBRIGHT SPACER FOR LED LAMP подробности
BR100/03,113 BR100/03,113 NXP USA Inc. DIAC 28-36V 2A ALF2 подробности
BR1000 BR1000 EIC SILICON BRIDGE RECTIFIERS подробности
BR10005 BR10005 SECOS AMP Silicon Bridge Rectifiers подробности
BR10005-G BR10005-G Comchip Technology BRIDGE DIODE 10A 50V BR подробности
BR10005SG-G BR10005SG-G Comchip Technology BRIDGE RECTIFIER 10A 50V BR8 ROH подробности
BR10005W-G BR10005W-G Comchip Technology BRIDGE DIODE 10A 50V BR-W подробности
BR1001 BR1001 EIC SILICON BRIDGE RECTIFIERS подробности
BR1001S BR1001S EIC SILICON BRIDGE RECTIFIERS подробности