| номер части | BLF4G22S-100,112 |
|---|---|
| Статус детали | Obsolete |
| Тип транзистора | LDMOS |
| частота | 2.11GHz ~ 2.17GHz |
| Усиление | 13.5dB |
| Напряжение - испытание | 28V |
| Текущий рейтинг | 12A |
| Коэффициент шума | - |
| Текущий - Тест | 900mA |
| Выходная мощность | 25W |
| Напряжение - Номинальное напряжение | 65V |
| Упаковка / чехол | SOT-502B |
| Пакет устройств поставщика | SOT502B |
| Вес | - |
| Страна происхождения | - |
| Образ | номер части | Производители | Описание | Посмотреть |
|---|---|---|---|---|
|
BLF4G20-110B,112 | NXP USA Inc. | FET RF 65V 1.99GHZ SOT502A | подробности |
|
BLF4G20LS-110B,112 | NXP USA Inc. | FET RF 65V 1.99GHZ SOT502B | подробности |
|
BLF4G20LS-130,112 | NXP USA Inc. | FET RF 65V 1.99GHZ SOT502B | подробности |
|
BLF4G20S-110B,112 | NXP USA Inc. | FET RF 65V 1.99GHZ SOT502B | подробности |
|
BLF4G22LS-130,112 | NXP USA Inc. | FET RF 65V 2.17GHZ SOT502B | подробности |
|
BLF4G22S-100,112 | NXP USA Inc. | FET RF 65V 2.17GHZ SOT502B | подробности |
