• русский
      Language Translation
    • English
    • Deutschl
    • Italia
    • France
    • España
    • 대한민국
    • 日本语
    • русский
Главная › Категории продукта › Дискретный полупроводник › Транзисторы - полевые транзисторы, МОП-транзисторы - РФ › BLF4G10LS-120,112
BLF4G10LS-120,112

BLF4G10LS-120,112 - NXP USA Inc.

номер части
BLF4G10LS-120,112
производитель
NXP USA Inc.
Краткое описание
FET RF 65V 960MHZ SOT502B
Бессвинцовый статус / RoHS Статус
Бессвинцовый / Соответствует RoHS
Онлайн-просмотр данных
BLF4G10LS-120,112 Просмотр PDF в Интернете
Скачать PDF-файл
BLF4G10LS-120,112.pdf
категория
Транзисторы - полевые транзисторы, МОП-транзисторы - РФ
Срок поставки
1 Day
Код даты
New
Количество на складе
4213 pcs
Справочная цена
USD 0/pcs
Наша цена
Отправить по электронной почте: [email protected]

Пожалуйста, заполните форму ниже, чтобы запросить котировку BLF4G10LS-120,112

BLF4G10LS-120,112 Подробное описание

номер части BLF4G10LS-120,112
Статус детали Obsolete
Тип транзистора LDMOS
частота 920MHz ~ 960MHz
Усиление 19dB
Напряжение - испытание 28V
Текущий рейтинг 12A
Коэффициент шума -
Текущий - Тест 650mA
Выходная мощность 48W
Напряжение - Номинальное напряжение 65V
Упаковка / чехол SOT-502B
Пакет устройств поставщика SOT502B
Вес -
Страна происхождения -

СВЯЗАННЫЕ ПРОДУКТЫ ДЛЯ BLF4G10LS-120,112

Образ номер части Производители Описание Посмотреть
BLF4G10-160,112 BLF4G10-160,112 NXP USA Inc. TRANSISTOR RF LDMOS SOT502A подробности
BLF4G10LS-120,112 BLF4G10LS-120,112 NXP USA Inc. FET RF 65V 960MHZ SOT502B подробности
BLF4G10LS-160,112 BLF4G10LS-160,112 NXP USA Inc. FET RF 65V 894.2MHZ SOT502B подробности