BFT25,215 - NXP USA Inc.

номер части	BFT25,215
Статус детали	Active
Тип транзистора	NPN
Напряжение - Разрыв эмиттера коллектора (макс.)	5V
Частота - переход	2.3GHz
Шум (дБ Тип @ f)	5.5dB @ 500MHz
Усиление	-
Мощность - макс.	30mW
Постоянный ток постоянного тока (hFE) (мин.) @ Ic, Vce	20 @ 1mA, 1V
Ток - коллектор (Ic) (макс.)	6.5mA
Рабочая Температура	175°C (TJ)
Тип монтажа	Surface Mount
Упаковка / чехол	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Пакет устройств поставщика	TO-236AB (SOT23)
Вес	-
Страна происхождения	-

номер части	Производители	Описание	Посмотреть
BFT25	NXP	BFT25 NXP SOT23 New Original Stocks	подробности
BFT25,215	NXP USA Inc.	TRANS RF NPN 5V 2.3GHZ SOT23-3	подробности
BFT25A	PHILIPS	BFT25A PHILIPS SOT23 New Original Stocks	подробности
BFT25A,215	NXP USA Inc.	TRANS NPN 5V 5GHZ SOT-23	подробности
BFT28C	CENTRAL	Small Signal Transistors	подробности
BFT29	EXSHINE	Medium Power Amplifiers and Switches	подробности
BFT30	EXSHINE	Medium Power Amplifiers and Switches	подробности
BFT31	SEME-LAB	Bipolar NPN Device in a Hermetically sealed TO18 Metal Package.	подробности
BFT32	SEME-LAB	Bipolar NPN Device in a Hermetically sealed TO39 Metal Package	подробности
BFT33A	SEME-LAB	NPN SILICON TRANSISTOR	подробности