BFG10,215 - NXP USA Inc.

номер части	BFG10,215
Статус детали	Obsolete
Тип транзистора	NPN
Напряжение - Разрыв эмиттера коллектора (макс.)	8V
Частота - переход	1.9GHz
Шум (дБ Тип @ f)	-
Усиление	7dB
Мощность - макс.	400mW
Постоянный ток постоянного тока (hFE) (мин.) @ Ic, Vce	25 @ 50mA, 5V
Ток - коллектор (Ic) (макс.)	250mA
Рабочая Температура	175°C (TJ)
Тип монтажа	Surface Mount
Упаковка / чехол	TO-253-4, TO-253AA
Пакет устройств поставщика	SOT-143B
Вес	-
Страна происхождения	-

номер части	Производители	Описание	Посмотреть
BFG 193 E6433	Infineon Technologies	TRANSISTOR RF NPN 12V SOT-223	подробности
BFG 196 E6327	Infineon Technologies	TRANSISTOR RF NPN 12V SOT-223	подробности
BFG 19S E6327	Infineon Technologies	TRANSISTOR RF NPN 15V SOT-223	подробности
BFG 235 E6327	Infineon Technologies	TRANSISTOR RF NPN 15V SOT-223	подробности
BFG.00.100.PCSG	LEMO	CONN CAP FOR .00. PLUG IP51	подробности
BFG.0B.100.PCSG	LEMO	CONN CAP FOR 0B-0S PLUG IP51	подробности
BFG.0B.100.PCSN	LEMO	CONN PLUG CAP FOR .0B.	подробности
BFG.0F.100.XAZ	LEMO	CONN CAP FOR .0F. PLUG	подробности
BFG.0K.100.KAS	LEMO	CONN CAP	подробности
BFG.0K.100.NAS	LEMO	CONN CAP FOR 0K-0L PLUG IP68	подробности