UES1E102MHM - Nichicon

номер части	UES1E102MHM
Статус детали	Active
емкость	1000µF
Толерантность	±20%
Напряжение - Номинальное напряжение	25V
ESR (Сопротивление эквивалентной серии)	-
Lifetime @ Temp.	1000 Hrs @ 85°C
Рабочая Температура	-40°C ~ 85°C
поляризация	Bi-Polar
Приложения	General Purpose
Ток пульсации - низкая частота	-
Ток пульсации - высокая частота	-
полное сопротивление	-
Межстрочный интервал	0.295" (7.50mm)
Размер / размер	0.630" Dia (16.00mm)
Высота - сидя (макс.)	1.299" (33.00mm)
Площадь земельного участка	-
Тип монтажа	Through Hole
Упаковка / чехол	Radial, Can
Вес	-
Страна происхождения	-

номер части	Производители	Описание	Посмотреть
UES1002	Microsemi Corporation	DIODE GEN PURP 100V 1A AXIAL	подробности
UES1003	MIC	UES1003 MIC DO-41 New Original Stocks	подробности
UES1004	MIC	UES1004 MIC DO-41 New Original Stocks	подробности
UES1005	MIC	UES1005 MIC DO-41 New Original Stocks	подробности
UES1006	MIC	UES1006 MIC DO-41 New Original Stocks	подробности
UES1101	MIC	UES1101 MIC DO-41 New Original Stocks	подробности
UES1102	MIC	UES1102 MIC DO-41 New Original Stocks	подробности
UES1102SM	Microsemi Corporation	DIODE GEN PURP 100V 2.5A A-MELF	подробности
UES1103	Microsemi Corporation	DIODE GEN PURP 150V 2.5A AXIAL	подробности
UES1103SM	Microsemi Corporation	DIODE GEN PURP 150V 2.5A A-MELF	подробности