PSMN8R0-80YLX - Nexperia USA Inc.

номер части	PSMN8R0-80YLX
Статус детали	Active
Тип полевого транзистора	N-Channel
Технологии	MOSFET (Metal Oxide)
Слив к источнику напряжения (Vdss)	80V
Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C	100A (Ta)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	5V, 10V
Rds On (Макс.) @ Id, Vgs	8 mOhm @ 25A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	2.1V @ 1mA
Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs	104nC @ 10V
Vgs (Макс.)	±20V
Входная емкость (Ciss) (Макс.) @ Vds	8167pF @ 25V
Функция FET	-
Рассеиваемая мощность (макс.)	238W (Ta)
Рабочая Температура	-55°C ~ 175°C (TJ)
Тип монтажа	Surface Mount
Пакет устройств поставщика	LFPAK56, Power-SO8
Упаковка / чехол	SC-100, SOT-669
Вес	-
Страна происхождения	-

номер части	Производители	Описание	Посмотреть
PSMN8R0-30YL,115	NXP USA Inc.	MOSFET N-CH 30V 62A LFPAK	подробности
PSMN8R0-30YLC,115	NXP USA Inc.	MOSFET N-CH 30V 54A LL LFPAK	подробности
PSMN8R0-40BS,118	Nexperia USA Inc.	MOSFET N-CH 40V 77A D2PAK	подробности
PSMN8R0-40PS,127	Nexperia USA Inc.	MOSFET N-CH 40V 77A TO220AB	подробности
PSMN8R0-80YLX	Nexperia USA Inc.	MOSFET N-CH 80V 100A LFPAK56	подробности
PSMN8R2-80YS,115	Nexperia USA Inc.	MOSFET N-CH 80V 82A LFPAK	подробности
PSMN8R3-40YS,115	Nexperia USA Inc.	MOSFET N-CH 40V 70A LFPAK	подробности
PSMN8R5-100ESFQ	Nexperia USA Inc.	MOSFET N-CH 100V 97A I2PAK	подробности
PSMN8R5-100ESQ	Nexperia USA Inc.	MOSFET N-CH 100V 100A I2PAK	подробности
PSMN8R5-100PSFQ	Nexperia USA Inc.	MOSFET N-CH 100V 98A TO220AB	подробности