PQMD3Z Подробное описание
номер части |
PQMD3Z |
Статус детали |
Active |
Тип транзистора |
1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) |
Ток - коллектор (Ic) (макс.) |
100mA |
Напряжение - Разрыв эмиттера коллектора (макс.) |
50V |
Резистор - основание (R1) (Ом) |
10k |
Резистор - основание эмиттера (R2) (Ом) |
10k |
Постоянный ток постоянного тока (hFE) (мин.) @ Ic, Vce |
30 @ 5mA, 5V |
Vce Saturation (Макс.) @ Ib, Ic |
150mV @ 500µA, 10mA |
Ток - отсечка коллектора (макс.) |
1µA |
Частота - переход |
230MHz, 180MHz |
Мощность - макс. |
230mW |
Тип монтажа |
Surface Mount |
Упаковка / чехол |
6-XFDFN Exposed Pad |
Пакет устройств поставщика |
DFN1010B-6 |
Вес |
- |
Страна происхождения |
- |
СВЯЗАННЫЕ ПРОДУКТЫ ДЛЯ PQMD3Z