| номер части | JANTXV2N2857UB |
|---|---|
| Статус детали | Active |
| Тип транзистора | NPN |
| Напряжение - Разрыв эмиттера коллектора (макс.) | 15V |
| Частота - переход | - |
| Шум (дБ Тип @ f) | 4.5dB @ 450MHz |
| Усиление | 21dB |
| Мощность - макс. | 200mW |
| Постоянный ток постоянного тока (hFE) (мин.) @ Ic, Vce | 30 @ 3mA, 1V |
| Ток - коллектор (Ic) (макс.) | 40mA |
| Рабочая Температура | -65°C ~ 200°C (TJ) |
| Тип монтажа | Surface Mount |
| Упаковка / чехол | 3-SMD, No Lead |
| Пакет устройств поставщика | UB |
| Вес | - |
| Страна происхождения | - |
| Образ | номер части | Производители | Описание | Посмотреть |
|---|---|---|---|---|
 |
JANTX1N1184 | Microsemi Corporation | DIODE GEN PURP 100V 35A DO5 | подробности |
|
JANTX1N1184R | Microsemi Corporation | DIODE GEN PURP 100V 35A DO203AB | подробности |
|
JANTX1N1186 | Microsemi Corporation | DIODE GEN PURP 200V 35A DO5 | подробности |
|
JANTX1N1186R | Microsemi Corporation | SILICON RECTIFIER | подробности |
|
JANTX1N1188R | Microsemi Corporation | DIODE GEN PURP 400V 35A DO203AB | подробности |
 |
JANTX1N1190 | Microsemi Corporation | DIODE GEN PURP 600V 35A DO5 | подробности |
 |
JANTX1N1190R | Microsemi Corporation | DIODE GEN PURP 600V 35A DO5 | подробности |
 |
JANTX1N1202A | Microsemi Corporation | DIODE GEN PURP 200V 12A DO203AA | подробности |
|
JANTX1N1202AR | Microsemi Corporation | DIODE GEN PURP 200V 12A DO203AA | подробности |
 |
JANTX1N1204A | Microsemi Corporation | DIODE GEN PURP 400V 12A DO203AA | подробности |
