JANTX2N5012 - Microsemi Corporation

номер части	JANTX2N5012
Статус детали	Obsolete
Тип транзистора	NPN
Ток - коллектор (Ic) (макс.)	200mA
Напряжение - Разрыв эмиттера коллектора (макс.)	700V
Vce Saturation (Макс.) @ Ib, Ic	-
Ток - отсечка коллектора (макс.)	10nA (ICBO)
Постоянный ток постоянного тока (hFE) (мин.) @ Ic, Vce	30 @ 25mA, 10V
Мощность - макс.	1W
Частота - переход	-
Рабочая Температура	-65°C ~ 200°C (TJ)
Тип монтажа	Through Hole
Упаковка / чехол	TO-205AA, TO-5-3 Metal Can
Пакет устройств поставщика	TO-5
Вес	-
Страна происхождения	-

номер части	Производители	Описание	Посмотреть
JANTX1N1184	Microsemi Corporation	DIODE GEN PURP 100V 35A DO5	подробности
JANTX1N1184R	Microsemi Corporation	DIODE GEN PURP 100V 35A DO203AB	подробности
JANTX1N1186	Microsemi Corporation	DIODE GEN PURP 200V 35A DO5	подробности
JANTX1N1186R	Microsemi Corporation	SILICON RECTIFIER	подробности
JANTX1N1188R	Microsemi Corporation	DIODE GEN PURP 400V 35A DO203AB	подробности
JANTX1N1190	Microsemi Corporation	DIODE GEN PURP 600V 35A DO5	подробности
JANTX1N1190R	Microsemi Corporation	DIODE GEN PURP 600V 35A DO5	подробности
JANTX1N1202A	Microsemi Corporation	DIODE GEN PURP 200V 12A DO203AA	подробности
JANTX1N1202AR	Microsemi Corporation	DIODE GEN PURP 200V 12A DO203AA	подробности
JANTX1N1204A	Microsemi Corporation	DIODE GEN PURP 400V 12A DO203AA	подробности