APTGT200A120G - Microsemi Corporation

номер части	APTGT200A120G
Статус детали	Active
Тип IGBT	Trench Field Stop
конфигурация	Half Bridge
Напряжение - Разрыв эмиттера коллектора (макс.)	1200V
Ток - коллектор (Ic) (макс.)	280A
Мощность - макс.	890W
Vce (вкл.) (Макс.) @ Vge, Ic	2.1V @ 15V, 200A
Ток - отсечка коллектора (макс.)	350µA
Входная емкость (Cies) @ Vce	14nF @ 25V
вход	Standard
Термистор NTC	No
Рабочая Температура	-40°C ~ 150°C (TJ)
Тип монтажа	Chassis Mount
Упаковка / чехол	SP6
Пакет устройств поставщика	SP6
Вес	-
Страна происхождения	-

номер части	Производители	Описание	Посмотреть
APTGT100A1202G	Microsemi Corporation	MOD IGBT 1200V 140A SP2	подробности
APTGT100A120D1G	Microsemi Corporation	IGBT MODULE TRENCH PHASE LEG D1	подробности
APTGT100A120T3AG	Microsemi Corporation	MOD IGBT 1200V 140A SP3	подробности
APTGT100A120TG	Microsemi Corporation	IGBT MODULE TRENCH PH LEG SP4	подробности
APTGT100A170D1G	Microsemi Corporation	IGBT MODULE TRENCH PHASE LEG D1	подробности
APTGT100A170TG	Microsemi Corporation	POWER MOD IGBT TRENCH PH LEG SP4	подробности
APTGT100A602G	Microsemi Corporation	MOD IGBT 600V 150A SP2	подробности
APTGT100A60T1G	Microsemi Corporation	IGBT PHASE LEG 600V 150A SP1	подробности
APTGT100A60TG	Microsemi Corporation	IGBT MODULE TRENCH PH LEG SP4	подробности
APTGT100BB60T3G	Microsemi Corporation	POWER MOD IGBT3 BOOST BUCK SP3	подробности