APTGLQ200H65G - Microsemi Corporation

номер части	APTGLQ200H65G
Статус детали	Active
Тип IGBT	Trench Field Stop
конфигурация	Full Bridge
Напряжение - Разрыв эмиттера коллектора (макс.)	650V
Ток - коллектор (Ic) (макс.)	270A
Мощность - макс.	680W
Vce (вкл.) (Макс.) @ Vge, Ic	2.3V @ 15V, 200A
Ток - отсечка коллектора (макс.)	75µA
Входная емкость (Cies) @ Vce	12.2nF @ 25V
вход	Standard
Термистор NTC	No
Рабочая Температура	-40°C ~ 175°C (TJ)
Тип монтажа	Chassis Mount
Упаковка / чехол	Module
Пакет устройств поставщика	SP6
Вес	-
Страна происхождения	-

номер части	Производители	Описание	Посмотреть
APTGL120TA120TPG	Microsemi Corporation	IGBT4 PHASE LEG 1200V 140A SP6	подробности
APTGL120TDU120TPG	Microsemi Corporation	MOD IGBT 1200V 140A SP6-P	подробности
APTGL180A1202G	Microsemi Corporation	POWER MOD IGBT4 PHASE LEG SP2	подробности
APTGL180A120T3AG	Microsemi Corporation	IGBT ARRAY 1200V 230A 940W SP3	подробности
APTGL240TL120G	Microsemi Corporation	POWER MOD IGBT4 3LVL INVERT SP6	подробности
APTGL325A120D3G	Microsemi Corporation	IGBT4 PHASE LEG 1200V 420A D3	подробности
APTGL325DA120D3G	Microsemi Corporation	IGBT 1200V 420A 1500W D3	подробности
APTGL325SK120D3G	Microsemi Corporation	IGBT 1200V 420A 1500W D3	подробности
APTGL40H120T1G	Microsemi Corporation	MOD IGBT 1200V 65A SP1	подробности
APTGL40X120T3G	Microsemi Corporation	MOD IGBT 1200V 65A SP3	подробности