APTGLQ100A120T3AG - Microsemi Corporation

номер части	APTGLQ100A120T3AG
Статус детали	Active
Тип IGBT	Trench Field Stop
конфигурация	Half Bridge
Напряжение - Разрыв эмиттера коллектора (макс.)	1200V
Ток - коллектор (Ic) (макс.)	185A
Мощность - макс.	650W
Vce (вкл.) (Макс.) @ Vge, Ic	2.4V @ 15V, 100A
Ток - отсечка коллектора (макс.)	50µA
Входная емкость (Cies) @ Vce	6.15nF @ 25V
вход	Standard
Термистор NTC	Yes
Рабочая Температура	-40°C ~ 175°C (TJ)
Тип монтажа	Through Hole
Упаковка / чехол	SP3
Пакет устройств поставщика	SP3
Вес	-
Страна происхождения	-

номер части	Производители	Описание	Посмотреть
APTGLQ100A120T3AG	Microsemi Corporation	PWR MOD IGBT4 1200V 185A SP3	подробности
APTGLQ100A120TG	Microsemi Corporation	POWER MODULE - IGBT	подробности
APTGLQ100A65T1G	Microsemi Corporation	PWR MOD IGBT4 650V 200A SP1	подробности
APTGLQ100DA120T1G	Microsemi Corporation	POWER MODULE - IGBT	подробности
APTGLQ100H65T3G	Microsemi Corporation	POWER MODULE - IGBT	подробности
APTGLQ100HR120CT3G	MICROSEMI	APTGLQ100HR120CT3G MICROSEMI Standa.. New Original Stocks	подробности
APTGLQ100HR120G	MICROSEMI	APTGLQ100HR120G MICROSEMI Standa.. New Original Stocks	подробности
APTGLQ150A120TG	Microsemi Corporation	POWER MODULE - IGBT	подробности
APTGLQ150H120G	Microsemi Corporation	POWER MODULE - IGBT	подробности
APTGLQ200A120T3AG	Microsemi Corporation	POWER MODULE - IGBT	подробности