APTGL475DA120D3G - Microsemi Corporation

номер части	APTGL475DA120D3G
Статус детали	Active
Тип IGBT	Trench Field Stop
конфигурация	Single
Напряжение - Разрыв эмиттера коллектора (макс.)	1200V
Ток - коллектор (Ic) (макс.)	610A
Мощность - макс.	2080W
Vce (вкл.) (Макс.) @ Vge, Ic	2.2V @ 15V, 400A
Ток - отсечка коллектора (макс.)	5mA
Входная емкость (Cies) @ Vce	24.6nF @ 25V
вход	Standard
Термистор NTC	No
Рабочая Температура	-40°C ~ 175°C (TJ)
Тип монтажа	Chassis Mount
Упаковка / чехол	D-3 Module
Пакет устройств поставщика	D3
Вес	-
Страна происхождения	-

номер части	Производители	Описание	Посмотреть
APTGL40H120T1G	Microsemi Corporation	MOD IGBT 1200V 65A SP1	подробности
APTGL40X120T3G	Microsemi Corporation	MOD IGBT 1200V 65A SP3	подробности
APTGL475A120D3G	Microsemi Corporation	POWER MOD IGBT4 PHASE LEG D3	подробности
APTGL475DA120D3G	Microsemi Corporation	IGBT 1200V 610A 2080W D3	подробности
APTGL475SK120D3G	Microsemi Corporation	IGBT 1200V 610A 2080W D3	подробности
APTGL475U120D4G	Microsemi Corporation	IGBT4 SGL SWITCH 1200V 610A D4	подробности
APTGL475U120DAG	Microsemi Corporation	POWER MOD IGBT4 SER DIODE SP6	подробности