| номер части | APTC90AM60T1G |
|---|---|
| Статус детали | Active |
| Тип полевого транзистора | 2 N-Channel (Half Bridge) |
| Функция FET | Super Junction |
| Слив к источнику напряжения (Vdss) | 900V |
| Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C | 59A |
| Rds On (Макс.) @ Id, Vgs | 60 mOhm @ 52A, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 3.5V @ 6mA |
| Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs | 540nC @ 10V |
| Входная емкость (Ciss) (Макс.) @ Vds | 13600pF @ 100V |
| Мощность - макс. | 462W |
| Рабочая Температура | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| Тип монтажа | Chassis Mount |
| Упаковка / чехол | SP1 |
| Пакет устройств поставщика | SP1 |
| Вес | - |
| Страна происхождения | - |
| Образ | номер части | Производители | Описание | Посмотреть |
|---|---|---|---|---|
|
APTC90AM602G | Microsemi Corporation | MOSFET 2N-CH 900V 59A SP2 | подробности |
|
APTC90AM60SCTG | Microsemi Corporation | MOSFET 2N-CH 900V 59A SP4 | подробности |
|
APTC90AM60T1G | Microsemi Corporation | MOSFET 2N-CH 900V 59A SP1 | подробности |
|
APTC90DAM60CT1G | Microsemi Corporation | MOSFET N-CH 900V 59A SP1 | подробности |
 |
APTC90DAM60T1G | Microsemi Corporation | MOSFET N-CH 900V 59A SP1 | подробности |
|
APTC90DDA12T1G | Microsemi Corporation | MOSFET 2N-CH 900V 30A SP1 | подробности |
|
APTC90DSK12T1G | Microsemi Corporation | MOSFET 2N-CH 900V 30A SP1 | подробности |
|
APTC90H12SCTG | Microsemi Corporation | MOSFET 4N-CH 900V 30A SP4 | подробности |
|
APTC90H12T1G | Microsemi Corporation | MOSFET 4N-CH 900V 30A SP1 | подробности |
|
APTC90H12T2G | Microsemi Corporation | MOSFET 4N-CH 900V 30A SP2 | подробности |
