APT80GA90B - Microsemi Corporation

номер части	APT80GA90B
Статус детали	Active
Тип IGBT	PT
Напряжение - Разрыв эмиттера коллектора (макс.)	900V
Ток - коллектор (Ic) (макс.)	145A
Текущий - коллектор импульсный (Icm)	239A
Vce (вкл.) (Макс.) @ Vge, Ic	3.1V @ 15V, 47A
Мощность - макс.	625W
Энергия переключения	1652µJ (on), 1389µJ (off)
Тип ввода	Standard
Ворота затвора	200nC
Td (вкл. / Выкл.) При 25 ° C	18ns/149ns
Условия тестирования	600V, 47A, 4.7 Ohm, 15V
Время обратного восстановления (trr)	-
Рабочая Температура	-55°C ~ 150°C (TJ)
Тип монтажа	Through Hole
Упаковка / чехол	TO-247-3
Пакет устройств поставщика	TO-247 [B]
Вес	-
Страна происхождения	-

номер части	Производители	Описание	Посмотреть
APT8014JLL	Microsemi Corporation	MOSFET N-CH 800V 42A SOT-227	подробности
APT8015JVR	APT	APT8015JVR APT SMD or Through Hole New Original Stocks	подробности
APT8018JN	Microsemi Corporation	MOSFET N-CH 800V 40A ISOTOP	подробности
APT8020B2LLG	Microsemi Corporation	MOSFET N-CH 800V 38A T-MAX	подробности
APT8020JLL	Microsemi Corporation	MOSFET N-CH 800V 33A SOT-227	подробности
APT8020LFLLG	Microsemi Corporation	MOSFET N-CH 800V 38A TO-264	подробности
APT8024B2LLG	Microsemi Corporation	MOSFET N-CH 800V 31A T-MAX	подробности
APT8024JLL	Microsemi Corporation	MOSFET N-CH 800V 29A SOT-227	подробности
APT8024LFLLG	Microsemi Corporation	MOSFET N-CH 800V 31A TO-264	подробности
APT8024LLLG	Microsemi Corporation	MOSFET N-CH 800V 31A TO-264	подробности