APT50GT120JU3 - Microsemi Corporation

номер части	APT50GT120JU3
Статус детали	Active
Тип IGBT	Trench Field Stop
конфигурация	Single
Напряжение - Разрыв эмиттера коллектора (макс.)	1200V
Ток - коллектор (Ic) (макс.)	75A
Мощность - макс.	347W
Vce (вкл.) (Макс.) @ Vge, Ic	2.1V @ 15V, 50A
Ток - отсечка коллектора (макс.)	5mA
Входная емкость (Cies) @ Vce	3.6nF @ 25V
вход	Standard
Термистор NTC	No
Рабочая Температура	-55°C ~ 150°C (TJ)
Тип монтажа	Chassis Mount
Упаковка / чехол	ISOTOP
Пакет устройств поставщика	SOT-227
Вес	-
Страна происхождения	-

номер части	Производители	Описание	Посмотреть
APT5010B2FLLG	Microsemi Corporation	MOSFET N-CH 500V 46A T-MAX	подробности
APT5010B2LLG	Microsemi Corporation	MOSFET N-CH 500V 46A T-MAX	подробности
APT5010JFLL	APT	APT5010JFLL APT SMD or Through Hole New Original Stocks	подробности
APT5010JLLU2	Microsemi Corporation	MOSFET N-CH 500V 41A SOT-227	подробности
APT5010JLLU3	Microsemi Corporation	MOSFET N-CH 500V 41A SOT227	подробности
APT5010JN	APT	APT5010JN APT SMD or Through Hole New Original Stocks	подробности
APT5010JVR	APT	APT5010JVR APT SMD or Through Hole New Original Stocks	подробности
APT5010JVRU2	Microsemi Corporation	MOSFET N-CH 500V 44A SOT227	подробности
APT5010JVRU3	Microsemi Corporation	MOSFET N-CH 500V 44A SOT227	подробности
APT5010LFLLG	Microsemi Corporation	MOSFET N-CH 500V 46A TO-264	подробности