APT50GS60BRG - Microsemi Corporation

номер части	APT50GS60BRG
Статус детали	Active
Тип IGBT	NPT
Напряжение - Разрыв эмиттера коллектора (макс.)	600V
Ток - коллектор (Ic) (макс.)	93A
Текущий - коллектор импульсный (Icm)	195A
Vce (вкл.) (Макс.) @ Vge, Ic	3.15V @ 15V, 50A
Мощность - макс.	415W
Энергия переключения	755µJ (off)
Тип ввода	Standard
Ворота затвора	235nC
Td (вкл. / Выкл.) При 25 ° C	16ns/225ns
Условия тестирования	400V, 50A, 4.7 Ohm, 15V
Время обратного восстановления (trr)	-
Рабочая Температура	-55°C ~ 150°C (TJ)
Тип монтажа	Through Hole
Упаковка / чехол	TO-247-3
Пакет устройств поставщика	TO-247 [B]
Вес	-
Страна происхождения	-

номер части	Производители	Описание	Посмотреть
APT5010B2FLLG	Microsemi Corporation	MOSFET N-CH 500V 46A T-MAX	подробности
APT5010B2LLG	Microsemi Corporation	MOSFET N-CH 500V 46A T-MAX	подробности
APT5010JFLL	APT	APT5010JFLL APT SMD or Through Hole New Original Stocks	подробности
APT5010JLLU2	Microsemi Corporation	MOSFET N-CH 500V 41A SOT-227	подробности
APT5010JLLU3	Microsemi Corporation	MOSFET N-CH 500V 41A SOT227	подробности
APT5010JN	APT	APT5010JN APT SMD or Through Hole New Original Stocks	подробности
APT5010JVR	APT	APT5010JVR APT SMD or Through Hole New Original Stocks	подробности
APT5010JVRU2	Microsemi Corporation	MOSFET N-CH 500V 44A SOT227	подробности
APT5010JVRU3	Microsemi Corporation	MOSFET N-CH 500V 44A SOT227	подробности
APT5010LFLLG	Microsemi Corporation	MOSFET N-CH 500V 46A TO-264	подробности