APT47GA60JD40 - Microsemi Corporation

номер части	APT47GA60JD40
Статус детали	Active
Тип IGBT	PT
конфигурация	Single
Напряжение - Разрыв эмиттера коллектора (макс.)	600V
Ток - коллектор (Ic) (макс.)	87A
Мощность - макс.	283W
Vce (вкл.) (Макс.) @ Vge, Ic	2.5V @ 15V, 47A
Ток - отсечка коллектора (макс.)	275µA
Входная емкость (Cies) @ Vce	6.32nF @ 25V
вход	Standard
Термистор NTC	No
Рабочая Температура	-55°C ~ 150°C (TJ)
Тип монтажа	Chassis Mount
Упаковка / чехол	SOT-227-4, miniBLOC
Пакет устройств поставщика	ISOTOP®
Вес	-
Страна происхождения	-

номер части	Производители	Описание	Посмотреть
APT47F60J	Microsemi Corporation	MOSFET N-CH 600V 49A SOT-227	подробности
APT47GA60JD40	Microsemi Corporation	IGBT 600V 87A 283W SOT-227	подробности
APT47M60J	Microsemi Corporation	MOSFET N-CH 600V 49A SOT-227	подробности
APT47N60BC3G	Microsemi Corporation	MOSFET N-CH 600V 47A TO-247	подробности
APT47N60SC3G	Microsemi Corporation	MOSFET N-CH 600V 47A D3PAK	подробности
APT47N65BC3G	Microsemi Corporation	MOSFET N-CH 650V 47A TO-247	подробности
APT47N65SCS3G	Microsemi Corporation	MOSFET N-CH 650V 47A TO-247	подробности