APT30GS60BRDLG - Microsemi Corporation

номер части	APT30GS60BRDLG
Статус детали	Not For New Designs
Тип IGBT	NPT
Напряжение - Разрыв эмиттера коллектора (макс.)	600V
Ток - коллектор (Ic) (макс.)	54A
Текущий - коллектор импульсный (Icm)	113A
Vce (вкл.) (Макс.) @ Vge, Ic	3.15V @ 15V, 30A
Мощность - макс.	250W
Энергия переключения	570µJ (off)
Тип ввода	Standard
Ворота затвора	145nC
Td (вкл. / Выкл.) При 25 ° C	16ns/360ns
Условия тестирования	400V, 30A, 9.1 Ohm, 15V
Время обратного восстановления (trr)	-
Рабочая Температура	-55°C ~ 150°C (TJ)
Тип монтажа	Through Hole
Упаковка / чехол	TO-247-3
Пакет устройств поставщика	TO-247
Вес	-
Страна происхождения	-

номер части	Производители	Описание	Посмотреть
APT30D100BCAG	Microsemi Corporation	DIODE ARRAY GP 1000V 18A TO247	подробности
APT30D100BCTG	Microsemi Corporation	DIODE ARRAY GP 1000V 30A TO247	подробности
APT30D100BG	Microsemi Corporation	DIODE GEN PURP 1KV 30A TO247	подробности
APT30D100BHBG	Microsemi Corporation	DIODE ARRAY GP 1000V 18A TO247	подробности
APT30D120BCTG	Microsemi Corporation	DIODE ARRAY GP 1200V 30A TO247	подробности
APT30D120BG	Microsemi Corporation	DIODE GEN PURP 1.2KV 30A TO247	подробности
APT30D20BCAG	Microsemi Corporation	DIODE ARRAY GP 200V 30A TO247	подробности
APT30D20BCTG	Microsemi Corporation	DIODE ARRAY GP 200V 30A TO247	подробности
APT30D20BG	Microsemi Corporation	DIODE GEN PURP 200V 30A TO247	подробности
APT30D30BCTG	Microsemi Corporation	DIODE ARRAY GP 300V 30A TO247	подробности