APT102GA60L - Microsemi Corporation

номер части	APT102GA60L
Статус детали	Active
Тип IGBT	PT
Напряжение - Разрыв эмиттера коллектора (макс.)	600V
Ток - коллектор (Ic) (макс.)	183A
Текущий - коллектор импульсный (Icm)	307A
Vce (вкл.) (Макс.) @ Vge, Ic	2.5V @ 15V, 62A
Мощность - макс.	780W
Энергия переключения	1.354mJ (on), 1.614mJ (off)
Тип ввода	Standard
Ворота затвора	294nC
Td (вкл. / Выкл.) При 25 ° C	28ns/212ns
Условия тестирования	400V, 62A, 4.7 Ohm, 15V
Время обратного восстановления (trr)	-
Рабочая Температура	-55°C ~ 150°C (TJ)
Тип монтажа	Through Hole
Упаковка / чехол	TO-264-3, TO-264AA
Пакет устройств поставщика	TO-264 [L]
Вес	-
Страна происхождения	-

номер части	Производители	Описание	Посмотреть
APT1001R1BN	Microsemi Corporation	MOSFET N-CH 1KV 10.5A TO247AD	подробности
APT1001RBN	Microsemi Corporation	MOSFET N-CH 1KV 11A TO247AD	подробности
APT10021JFLL	Microsemi Corporation	MOSFET N-CH 1000V 37A SOT-227	подробности
APT10021JLL	Microsemi Corporation	MOSFET N-CH 1000V 37A SOT-227	подробности
APT1002RBN	APT	APT1002RBN APT TO-247 New Original Stocks	подробности
APT1002RBNG	Microsemi Corporation	MOSFET N-CH 1KV 8A TO247AD	подробности
APT10035B2FLLG	Microsemi Corporation	MOSFET N-CH 1000V 28A T-MAX	подробности
APT10035B2LLG	Microsemi Corporation	MOSFET N-CH 1000V 28A T-MAX	подробности
APT10035JLL	Microsemi Corporation	MOSFET N-CH 1000V 25A SOT-227	подробности
APT10035LLLG	Microsemi Corporation	MOSFET N-CH 1000V 28A TO-264	подробности