| номер части | APT100GT60B2RG |
|---|---|
| Статус детали | Active |
| Тип IGBT | NPT |
| Напряжение - Разрыв эмиттера коллектора (макс.) | 600V |
| Ток - коллектор (Ic) (макс.) | 148A |
| Текущий - коллектор импульсный (Icm) | 300A |
| Vce (вкл.) (Макс.) @ Vge, Ic | 2.5V @ 15V, 100A |
| Мощность - макс. | 500W |
| Энергия переключения | 3.25mJ (on), 3.125mJ (off) |
| Тип ввода | Standard |
| Ворота затвора | 460nC |
| Td (вкл. / Выкл.) При 25 ° C | 40ns/320ns |
| Условия тестирования | 400V, 100A, 4.3 Ohm, 15V |
| Время обратного восстановления (trr) | - |
| Рабочая Температура | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Тип монтажа | Through Hole |
| Упаковка / чехол | TO-247-3 Variant |
| Пакет устройств поставщика | - |
| Вес | - |
| Страна происхождения | - |
| Образ | номер части | Производители | Описание | Посмотреть |
|---|---|---|---|---|
 |
APT1001R1BN | Microsemi Corporation | MOSFET N-CH 1KV 10.5A TO247AD | подробности |
|
APT1001RBN | Microsemi Corporation | MOSFET N-CH 1KV 11A TO247AD | подробности |
 |
APT10021JFLL | Microsemi Corporation | MOSFET N-CH 1000V 37A SOT-227 | подробности |
|
APT10021JLL | Microsemi Corporation | MOSFET N-CH 1000V 37A SOT-227 | подробности |
 |
APT1002RBN | APT | APT1002RBN APT TO-247 New Original Stocks | подробности |
|
APT1002RBNG | Microsemi Corporation | MOSFET N-CH 1KV 8A TO247AD | подробности |
|
APT10035B2FLLG | Microsemi Corporation | MOSFET N-CH 1000V 28A T-MAX | подробности |
|
APT10035B2LLG | Microsemi Corporation | MOSFET N-CH 1000V 28A T-MAX | подробности |
|
APT10035JLL | Microsemi Corporation | MOSFET N-CH 1000V 25A SOT-227 | подробности |
 |
APT10035LLLG | Microsemi Corporation | MOSFET N-CH 1000V 28A TO-264 | подробности |
