APT100GT120JU2 - Microsemi Corporation

номер части	APT100GT120JU2
Статус детали	Active
Тип IGBT	Trench Field Stop
конфигурация	Single
Напряжение - Разрыв эмиттера коллектора (макс.)	1200V
Ток - коллектор (Ic) (макс.)	140A
Мощность - макс.	480W
Vce (вкл.) (Макс.) @ Vge, Ic	2.1V @ 15V, 100A
Ток - отсечка коллектора (макс.)	5mA
Входная емкость (Cies) @ Vce	7.2nF @ 25V
вход	Standard
Термистор NTC	No
Рабочая Температура	-55°C ~ 150°C (TJ)
Тип монтажа	Chassis Mount
Упаковка / чехол	ISOTOP
Пакет устройств поставщика	SOT-227
Вес	-
Страна происхождения	-

номер части	Производители	Описание	Посмотреть
APT1001R1BN	Microsemi Corporation	MOSFET N-CH 1KV 10.5A TO247AD	подробности
APT1001RBN	Microsemi Corporation	MOSFET N-CH 1KV 11A TO247AD	подробности
APT10021JFLL	Microsemi Corporation	MOSFET N-CH 1000V 37A SOT-227	подробности
APT10021JLL	Microsemi Corporation	MOSFET N-CH 1000V 37A SOT-227	подробности
APT1002RBN	APT	APT1002RBN APT TO-247 New Original Stocks	подробности
APT1002RBNG	Microsemi Corporation	MOSFET N-CH 1KV 8A TO247AD	подробности
APT10035B2FLLG	Microsemi Corporation	MOSFET N-CH 1000V 28A T-MAX	подробности
APT10035B2LLG	Microsemi Corporation	MOSFET N-CH 1000V 28A T-MAX	подробности
APT10035JLL	Microsemi Corporation	MOSFET N-CH 1000V 25A SOT-227	подробности
APT10035LLLG	Microsemi Corporation	MOSFET N-CH 1000V 28A TO-264	подробности