1N6000B - Microsemi Corporation

номер части	1N6000B
Статус детали	Active
Напряжение - Zener (Nom) (Vz)	10V
Толерантность	±5%
Мощность - макс.	500mW
Импеданс (макс.) (Zzt)	15 Ohm
Текущий - обратный утечек @ Vr	100nA @ 8V
Напряжение - Вперед (Vf) (Макс.) @ Если	1.1V @ 200mA
Рабочая Температура	-65°C ~ 175°C
Тип монтажа	Through Hole
Упаковка / чехол	DO-204AH, DO-35, Axial
Пакет устройств поставщика	DO-35
Вес	-
Страна происхождения	-

номер части	Производители	Описание	Посмотреть
1N60	JF	1N60 JF SMD or Through Hole New Original Stocks	подробности
1N6000A	Microsemi Corporation	DIODE ZENER 10V 500MW DO35	подробности
1N6000B	Microsemi Corporation	DIODE ZENER 10V 500MW DO35	подробности
1N6000B BK	Central Semiconductor Corp	DIODE ZENER 10V 500MW DO35	подробности
1N6000B TR	Central Semiconductor Corp	DIODE ZENER 10V 500MW DO35	подробности
1N6000B_T50A	Fairchild/ON Semiconductor	DIODE ZENER 10V 500MW DO35	подробности
1N6000B_T50R	Fairchild/ON Semiconductor	DIODE ZENER 10V 500MW DO35	подробности
1N6000C	Microsemi Corporation	DIODE ZENER 10V 500MW DO35	подробности
1N6000D	Microsemi Corporation	DIODE ZENER 10V 500MW DO35	подробности
1N6000UR	Microsemi Corporation	ZENER DIODE	подробности