1N3001RB - Microsemi Corporation

номер части	1N3001RB
Статус детали	Active
Напряжение - Zener (Nom) (Vz)	68V
Толерантность	±5%
Мощность - макс.	10W
Импеданс (макс.) (Zzt)	18 Ohm
Текущий - обратный утечек @ Vr	10µA @ 51.7V
Напряжение - Вперед (Vf) (Макс.) @ Если	1.5V @ 2A
Рабочая Температура	-65°C ~ 175°C
Тип монтажа	Chassis, Stud Mount
Упаковка / чехол	DO-203AA, DO-4, Stud
Пакет устройств поставщика	DO-213AA
Вес	-
Страна происхождения	-

номер части	Производители	Описание	Посмотреть
1N300	EXSHINE	silicon diode	подробности
1N3000A	Microsemi Corporation	DIODE ZENER 62V 10W DO213AA	подробности
1N3000B	Microsemi Corporation	DIODE ZENER 62V 10W DO213AA	подробности
1N3000RB	Microsemi Corporation	DIODE ZENER 62V 10W DO213AA	подробности
1N3001A	Microsemi Corporation	DIODE ZENER 68V 10W DO213AA	подробности
1N3001B	Microsemi Corporation	DIODE ZENER 68V 10W DO213AA	подробности
1N3001RB	Microsemi Corporation	DIODE ZENER 68V 10W DO213AA	подробности
1N3002A	Microsemi Corporation	DIODE ZENER 75V 10W DO213AA	подробности
1N3002B	Microsemi Corporation	DIODE ZENER 75V 10W DO213AA	подробности
1N3002RB	Microsemi Corporation	DIODE ZENER 75V 10W DO213AA	подробности