• русский
      Language Translation
    • English
    • Deutschl
    • Italia
    • France
    • España
    • 대한민국
    • 日本语
    • русский
Главная › Категории продукта › Интегральные схемы (ИС) › Память › MTA4ATF51264AZ-2G6E1
MTA4ATF51264AZ-2G6E1

MTA4ATF51264AZ-2G6E1 - Micron Technology Inc.

номер части
MTA4ATF51264AZ-2G6E1
производитель
Micron Technology Inc.
Краткое описание
IC DRAM 32G PARALLEL 1333MHZ
Бессвинцовый статус / RoHS Статус
Бессвинцовый / Соответствует RoHS
Онлайн-просмотр данных
MTA4ATF51264AZ-2G6E1 Просмотр PDF в Интернете
Скачать PDF-файл
-
категория
Память
Срок поставки
1 Day
Код даты
New
Количество на складе
3215 pcs
Справочная цена
USD 56.9306/pcs
Наша цена
Отправить по электронной почте: [email protected]

Пожалуйста, заполните форму ниже, чтобы запросить котировку MTA4ATF51264AZ-2G6E1

MTA4ATF51264AZ-2G6E1 Подробное описание

номер части MTA4ATF51264AZ-2G6E1
Статус детали Active
Тип памяти Volatile
Формат памяти DRAM
Технологии SDRAM - DDR4
Размер памяти 32Gb (512M x 64)
Частота часов 1333MHz
Время цикла записи - слово, страница -
Время доступа -
Интерфейс памяти Parallel
Напряжение - Поставка 1.2V
Рабочая Температура 0°C ~ 95°C (TC)
Тип монтажа -
Упаковка / чехол -
Пакет устройств поставщика -
Вес -
Страна происхождения -

СВЯЗАННЫЕ ПРОДУКТЫ ДЛЯ MTA4ATF51264AZ-2G6E1

Образ номер части Производители Описание Посмотреть
MTA4ATF25664AZ-2G6B1 MTA4ATF25664AZ-2G6B1 Micron Technology Inc. IC DRAM 16G PARALLEL 1333MHZ подробности
MTA4ATF25664HZ-2G6B1 MTA4ATF25664HZ-2G6B1 Micron Technology Inc. IC DRAM 16G PARALLEL 1333MHZ подробности
MTA4ATF51264AZ-2G6E1 MTA4ATF51264AZ-2G6E1 Micron Technology Inc. IC DRAM 32G PARALLEL 1333MHZ подробности
MTA4ATF51264HZ-2G6E1 MTA4ATF51264HZ-2G6E1 Micron Technology Inc. IC DRAM 32G PARALLEL 1333MHZ подробности