MT53D512M64D4NW-053 WT ES:E - Micron Technology Inc.

номер части: MT53D512M64D4NW-053 WT ES:E
производитель: Micron Technology Inc.
Краткое описание: IC DRAM 32G 1866MHZ FBGA
Бессвинцовый статус / RoHS Статус: Бессвинцовый / Соответствует RoHS
Онлайн-просмотр данных: MT53D512M64D4NW-053 WT ES:E Просмотр PDF в Интернете
Скачать PDF-файл: -
категория: Память
Срок поставки: 1 Day
Код даты: New
Количество на складе: 26390 pcs
Справочная цена: USD 0/pcs
Наша цена: Отправить по электронной почте: [email protected]

номер части	MT53D512M64D4NW-053 WT ES:E
Статус детали	Active
Тип памяти	Volatile
Формат памяти	DRAM
Технологии	SDRAM - Mobile LPDDR4
Размер памяти	32Gb (512M x 64)
Частота часов	1866MHz
Время цикла записи - слово, страница	-
Время доступа	-
Интерфейс памяти	-
Напряжение - Поставка	1.1V
Рабочая Температура	-30°C ~ 85°C (TC)
Тип монтажа	-
Упаковка / чехол	-
Пакет устройств поставщика	-
Вес	-
Страна происхождения	-

номер части	Производители	Описание	Посмотреть
MT53D512M16D1Z11MWC2	Micron Technology Inc.	LPDDR4 8G DIE 512MX16	подробности
MT53D512M16D1Z11MWC2 ES	Micron Technology Inc.	LPDDR4 8G DIE 512MX16	подробности
MT53D512M32D2DS-046 AAT:D	Micron Technology Inc.	IC DRAM 16G 2133MHZ	подробности
MT53D512M32D2DS-046 AAT:D TR	Micron Technology Inc.	IC DRAM 16G 2133MHZ	подробности
MT53D512M32D2DS-046 AIT:D	Micron Technology Inc.	IC DRAM 16G 2133MHZ	подробности
MT53D512M32D2DS-046 AIT:D TR	Micron Technology Inc.	IC DRAM 16G 2133MHZ	подробности
MT53D512M32D2DS-046 AUT:D	Micron Technology Inc.	IC DRAM 16G 2133MHZ	подробности
MT53D512M32D2DS-046 AUT:D TR	Micron Technology Inc.	IC DRAM 16G 2133MHZ	подробности
MT53D512M32D2DS-046 WT ES:D	Micron Technology Inc.	IC DRAM 16G 2133MHZ FBGA	подробности
MT53D512M32D2DS-053 AAT:D	Micron Technology Inc.	IC DRAM 16G 1866MHZ	подробности