MT53B512M64D4NK-053 WT ES:C - Micron Technology Inc.

номер части: MT53B512M64D4NK-053 WT ES:C
производитель: Micron Technology Inc.
Краткое описание: IC DRAM 32G 1866MHZ FBGA
Бессвинцовый статус / RoHS Статус: Бессвинцовый / Соответствует RoHS
Онлайн-просмотр данных: MT53B512M64D4NK-053 WT ES:C Просмотр PDF в Интернете
Скачать PDF-файл: -
категория: Память
Срок поставки: 1 Day
Код даты: New
Количество на складе: 27487 pcs
Справочная цена: USD 0/pcs
Наша цена: Отправить по электронной почте: [email protected]

номер части	MT53B512M64D4NK-053 WT ES:C
Статус детали	Obsolete
Тип памяти	Volatile
Формат памяти	DRAM
Технологии	SDRAM - Mobile LPDDR4
Размер памяти	32Gb (512M x 64)
Частота часов	1866MHz
Время цикла записи - слово, страница	-
Время доступа	-
Интерфейс памяти	-
Напряжение - Поставка	1.1V
Рабочая Температура	-30°C ~ 85°C (TC)
Тип монтажа	-
Упаковка / чехол	-
Пакет устройств поставщика	-
Вес	-
Страна происхождения	-

номер части	Производители	Описание	Посмотреть
MT53B512M16D1Z11MWC1	Micron Technology Inc.	LPDDR4 8G DIE 512MX16	подробности
MT53B512M16D1Z11MWC2 MS	Micron Technology Inc.	LPDDR4 8G DIE 512MX16	подробности
MT53B512M16D1Z11NWC1	Micron Technology Inc.	LPDDR4 8G DIE 512MX16	подробности
MT53B512M32D2DS-053 AAT:E	Micron Technology Inc.	IC DRAM 16G 1866MHZ FBGA	подробности
MT53B512M32D2DS-062 AAT:C	Micron Technology Inc.	IC DRAM 16G 1600MHZ	подробности
MT53B512M32D2DS-062 AAT:C TR	Micron Technology Inc.	IC DRAM 16G 1600MHZ	подробности
MT53B512M32D2DS-062 AIT:C	Micron Technology Inc.	IC DRAM 16G 1600MHZ	подробности
MT53B512M32D2DS-062 AIT:C TR	Micron Technology Inc.	IC DRAM 16G 1600MHZ	подробности
MT53B512M32D2DS-062 XT:C	Micron Technology Inc.	IC DRAM 16G 1600MHZ	подробности
MT53B512M32D2DS-062 XT:C TR	Micron Technology Inc.	IC DRAM 16G 1600MHZ	подробности