MT53B384M32D2NK-062 WT ES:B TR - Micron Technology Inc.

номер части: MT53B384M32D2NK-062 WT ES:B TR
производитель: Micron Technology Inc.
Краткое описание: IC DRAM 12G 1600MHZ FBGA
Бессвинцовый статус / RoHS Статус: Бессвинцовый / Соответствует RoHS
Онлайн-просмотр данных: MT53B384M32D2NK-062 WT ES:B TR Просмотр PDF в Интернете
Скачать PDF-файл: -
категория: Память
Срок поставки: 1 Day
Код даты: New
Количество на складе: 27247 pcs
Справочная цена: USD 0/pcs
Наша цена: Отправить по электронной почте: [email protected]

номер части	MT53B384M32D2NK-062 WT ES:B TR
Статус детали	Active
Тип памяти	Volatile
Формат памяти	DRAM
Технологии	SDRAM - Mobile LPDDR4
Размер памяти	12Gb (384M x 32)
Частота часов	1600MHz
Время цикла записи - слово, страница	-
Время доступа	-
Интерфейс памяти	-
Напряжение - Поставка	1.1V
Рабочая Температура	-30°C ~ 85°C (TC)
Тип монтажа	-
Упаковка / чехол	-
Пакет устройств поставщика	-
Вес	-
Страна происхождения	-

номер части	Производители	Описание	Посмотреть
MT53B384M32D2DS-062 AAT:B	Micron Technology Inc.	IC DRAM 12G 1600MHZ	подробности
MT53B384M32D2DS-062 AAT:B TR	Micron Technology Inc.	IC DRAM 12G 1600MHZ	подробности
MT53B384M32D2DS-062 AIT:B	Micron Technology Inc.	IC DRAM 12G 1600MHZ	подробности
MT53B384M32D2DS-062 AIT:B TR	Micron Technology Inc.	IC DRAM 12G 1600MHZ	подробности
MT53B384M32D2DS-062 AUT:B	Micron Technology Inc.	IC DRAM 12G 1600MHZ	подробности
MT53B384M32D2DS-062 AUT:B TR	Micron Technology Inc.	IC DRAM 12G 1600MHZ	подробности
MT53B384M32D2DS-062 XT:B	Micron Technology Inc.	IC DRAM 12G 1600MHZ	подробности
MT53B384M32D2DS-062 XT:B TR	Micron Technology Inc.	IC DRAM 12G 1600MHZ	подробности
MT53B384M32D2NK-062 WT ES:B	Micron Technology Inc.	IC DRAM 12G 1600MHZ FBGA	подробности
MT53B384M32D2NK-062 WT ES:B TR	Micron Technology Inc.	IC DRAM 12G 1600MHZ FBGA	подробности