| номер части | MT46V16M16P-5B:M |
|---|---|
| Статус детали | Active |
| Тип памяти | Volatile |
| Формат памяти | DRAM |
| Технологии | SDRAM - DDR |
| Размер памяти | 256Mb (16M x 16) |
| Частота часов | 200MHz |
| Время цикла записи - слово, страница | 15ns |
| Время доступа | 700ps |
| Интерфейс памяти | Parallel |
| Напряжение - Поставка | 2.5 V ~ 2.7 V |
| Рабочая Температура | 0°C ~ 70°C (TA) |
| Тип монтажа | Surface Mount |
| Упаковка / чехол | 66-TSSOP (0.400", 10.16mm Width) |
| Пакет устройств поставщика | 66-TSOP |
| Вес | - |
| Страна происхождения | - |
| Образ | номер части | Производители | Описание | Посмотреть |
|---|---|---|---|---|
 |
MT46V128M4BN-5B:F | Micron Technology Inc. | IC SDRAM 512MBIT 200MHZ 60FBGA | подробности |
|
MT46V128M4BN-5B:F TR | Micron Technology Inc. | IC SDRAM 512MBIT 200MHZ 60FBGA | подробности |
|
MT46V128M4BN-6:D | Micron Technology Inc. | IC SDRAM 512MBIT 167MHZ 60FBGA | подробности |
|
MT46V128M4BN-6:D TR | Micron Technology Inc. | IC SDRAM 512MBIT 167MHZ 60FBGA | подробности |
|
MT46V128M4BN-6:F | Micron Technology Inc. | IC SDRAM 512MBIT 167MHZ 60FBGA | подробности |
|
MT46V128M4BN-6:F TR | Micron Technology Inc. | IC SDRAM 512MBIT 167MHZ 60FBGA | подробности |
|
MT46V128M4BN-75:D | Micron Technology Inc. | IC SDRAM 512MBIT 133MHZ 60FBGA | подробности |
|
MT46V128M4BN-75:D TR | Micron Technology Inc. | IC SDRAM 512MBIT 133MHZ 60FBGA | подробности |
 |
MT46V128M4CY-5B:J | Micron Technology Inc. | IC DRAM 512M PARALLEL 200MHZ | подробности |
|
MT46V128M4CY-5B:J TR | Micron Technology Inc. | IC DRAM 512M PARALLEL 200MHZ | подробности |
