| номер части | MT40A256M16GE-083E AIT:B TR |
|---|---|
| Статус детали | Active |
| Тип памяти | Volatile |
| Формат памяти | DRAM |
| Технологии | SDRAM - DDR4 |
| Размер памяти | 4Gb (256M x 16) |
| Частота часов | 1.2GHz |
| Время цикла записи - слово, страница | - |
| Время доступа | - |
| Интерфейс памяти | Parallel |
| Напряжение - Поставка | 1.14V ~ 1.26V |
| Рабочая Температура | -40°C ~ 95°C (TC) |
| Тип монтажа | - |
| Упаковка / чехол | - |
| Пакет устройств поставщика | - |
| Вес | - |
| Страна происхождения | - |
| Образ | номер части | Производители | Описание | Посмотреть |
|---|---|---|---|---|
|
MT40A256M16GE-062E IT:B | Micron Technology Inc. | IC DRAM 4G PARALLEL 1.6GHZ | подробности |
 |
MT40A256M16GE-062E IT:B TR | Micron Technology Inc. | IC SDRAM 4GBIT 1.6GHZ 96BGA | подробности |
|
MT40A256M16GE-062E:B | Micron Technology Inc. | IC SDRAM 4GBIT 1.6GHZ 96BGA | подробности |
|
MT40A256M16GE-062E:B TR | Micron Technology Inc. | IC DRAM 4G PARALLEL 96FBGA | подробности |
|
MT40A256M16GE-075E AAT:B | Micron Technology Inc. | IC DRAM 4G PARALLEL 1.33GHZ | подробности |
|
MT40A256M16GE-075E AAT:B TR | Micron Technology Inc. | IC SDRAM 4GBIT 1.33GHZ 96BGA | подробности |
|
MT40A256M16GE-075E AIT:B | Micron Technology Inc. | IC DRAM 4G PARALLEL 1.33GHZ | подробности |
|
MT40A256M16GE-075E AIT:B TR | Micron Technology Inc. | IC SDRAM 4GBIT 1.33GHZ 96BGA | подробности |
|
MT40A256M16GE-075E AUT:B | Micron Technology Inc. | IC DRAM 4G PARALLEL 1.33GHZ | подробности |
|
MT40A256M16GE-075E AUT:B TR | Micron Technology Inc. | IC SDRAM 4GBIT 1.33GHZ 96BGA | подробности |
