MT29RZ1C1CZZHGTN-18I.85G - Micron Technology Inc.

номер части	MT29RZ1C1CZZHGTN-18I.85G
Статус детали	Active
Тип памяти	Non-Volatile
Формат памяти	FLASH, RAM
Технологии	FLASH - NAND, DRAM - LPDDR2
Размер памяти	1Gb (128M x 8)(NAND), 512M (32M x 16)(LPDDR2)
Частота часов	533MHz
Время цикла записи - слово, страница	-
Время доступа	-
Интерфейс памяти	Parallel
Напряжение - Поставка	1.8V
Рабочая Температура	-40°C ~ 85°C (TA)
Тип монтажа	-
Упаковка / чехол	-
Пакет устройств поставщика	-
Вес	-
Страна происхождения	-

номер части	Производители	Описание	Посмотреть
MT29RZ1C1CZZHGTN-18I.85G	Micron Technology Inc.	IC FLASH RAM 1G PARALLEL 533MHZ	подробности
MT29RZ1C1CZZHGTN-18I.85G TR	Micron Technology Inc.	64MX16/64MX16 MCP PLASTIC IND TE	подробности
MT29RZ1CVCZZHGTN-18 I.85H	Micron Technology Inc.	IC FLASH RAM 1G PARALLEL 533MHZ	подробности
MT29RZ1CVCZZHGTN-18 I.85H TR	Micron Technology Inc.	64MX16/32MX16 MCP PLASTIC IND TE	подробности
MT29RZ1CVCZZHGTN-18 W.85H	Micron Technology Inc.	IC FLASH RAM 1G PARALLEL 533MHZ	подробности
MT29RZ1CVCZZHGTN-18 W.85H TR	Micron Technology Inc.	64MX16/32MX16 MCP PLASTIC WIRELE	подробности
MT29RZ1CVCZZHGTN-25 W.4M0	Micron Technology Inc.	IC FLASH 1.5G DDR	подробности
MT29RZ1CVCZZHGTN-25 W.4M0 TR	Micron Technology Inc.	IC FLASH 1.5G DDR	подробности