| номер части | MT29F512G08EEHAFJ4-3R:A |
|---|---|
| Статус детали | Active |
| Тип памяти | Non-Volatile |
| Формат памяти | FLASH |
| Технологии | FLASH - NAND |
| Размер памяти | 512Gb (64G x 8) |
| Частота часов | 333MHz |
| Время цикла записи - слово, страница | - |
| Время доступа | - |
| Интерфейс памяти | Parallel |
| Напряжение - Поставка | 2.5V ~ 3.6V |
| Рабочая Температура | 0°C ~ 70°C (TA) |
| Тип монтажа | - |
| Упаковка / чехол | - |
| Пакет устройств поставщика | - |
| Вес | - |
| Страна происхождения | - |
| Образ | номер части | Производители | Описание | Посмотреть |
|---|---|---|---|---|
|
MT29F512G08AUCBBH8-6:B TR | Micron Technology Inc. | IC FLASH 512GBIT 167MHZ 132LBGA | подробности |
|
MT29F512G08AUCBBH8-6IT:B | Micron Technology Inc. | IC FLASH 512G PARALLEL 166MHZ | подробности |
|
MT29F512G08AUCBBH8-6IT:B TR | Micron Technology Inc. | IC FLASH 512GBIT 167MHZ 152LBGA | подробности |
|
MT29F512G08AUCBBK8-6:B TR | Micron Technology Inc. | IC FLASH 512GBIT 167MHZ TLGA | подробности |
|
MT29F512G08AUEBBH8-12:B | Micron Technology Inc. | IC FLASH 512G PARALLEL 83MHZ | подробности |
|
MT29F512G08AUEBBH8-12:B TR | Micron Technology Inc. | IC FLASH 512G PARALLEL 83MHZ | подробности |
|
MT29F512G08AUEBBK8-12:B TR | Micron Technology Inc. | IC FLASH 512GBIT 83MHZ TLGA | подробности |
|
MT29F512G08CECBBJ4-37:B | Micron Technology Inc. | IC FLASH 512G PARALLEL 267MHZ | подробности |
|
MT29F512G08CECBBJ4-37:B TR | Micron Technology Inc. | IC FLASH 512GBIT 267MHZ 132VBGA | подробности |
|
MT29F512G08CECBBJ4-37ES:B TR | Micron Technology Inc. | IC FLASH 512GBIT 267MHZ 132VBGA | подробности |
