MT29F2G08ABAEAH4-AATX:E - Micron Technology Inc.

номер части	MT29F2G08ABAEAH4-AATX:E
Статус детали	Active
Тип памяти	Non-Volatile
Формат памяти	FLASH
Технологии	FLASH - NAND
Размер памяти	2Gb (256M x 8)
Частота часов	-
Время цикла записи - слово, страница	-
Время доступа	-
Интерфейс памяти	Parallel
Напряжение - Поставка	2.7V ~ 3.6V
Рабочая Температура	-40°C ~ 105°C (TA)
Тип монтажа	Surface Mount
Упаковка / чехол	63-VFBGA
Пакет устройств поставщика	63-VFBGA (9x11)
Вес	-
Страна происхождения	-

номер части	Производители	Описание	Посмотреть
MT29F2G01AAAEDH4-IT:E	Micron Technology Inc.	IC FLASH 2GBIT 63VFBGA	подробности
MT29F2G01AAAEDH4-IT:E TR	Micron Technology Inc.	IC FLASH 2G SPI 63VFBGA	подробности
MT29F2G01AAAEDH4-ITX:E	Micron Technology Inc.	IC FLASH 2GBIT 63VFBGA	подробности
MT29F2G01AAAEDH4-ITX:E TR	Micron Technology Inc.	IC FLASH 2GBIT 63VFBGA	подробности
MT29F2G01AAAEDH4:E	Micron Technology Inc.	IC FLASH 2GBIT 63VFBGA	подробности
MT29F2G01AAAEDH4:E TR	Micron Technology Inc.	IC FLASH 2GBIT 63VFBGA	подробности
MT29F2G01ABAGD12-AAT:G	Micron Technology Inc.	IC FLASH 2G SPI 83MHZ TBGA	подробности
MT29F2G01ABAGD12-AAT:G TR	Micron Technology Inc.	IC FLASH 2G SPI 83MHZ TBGA	подробности
MT29F2G01ABAGD12-IT:G	Micron Technology Inc.	IC FLASH 2G SPI 83MHZ TBGA	подробности
MT29F2G01ABAGD12-IT:G TR	Micron Technology Inc.	IC FLASH 2G SPI 83MHZ TBGA	подробности