| номер части | MT29F1T208ECHBBJ4-3RES:B TR |
|---|---|
| Статус детали | Active |
| Тип памяти | Non-Volatile |
| Формат памяти | FLASH |
| Технологии | FLASH - NAND |
| Размер памяти | 1.125Tb (144G x 8) |
| Частота часов | 333MHz |
| Время цикла записи - слово, страница | - |
| Время доступа | - |
| Интерфейс памяти | Parallel |
| Напряжение - Поставка | 2.5 V ~ 3.6 V |
| Рабочая Температура | 0°C ~ 70°C (TA) |
| Тип монтажа | - |
| Упаковка / чехол | - |
| Пакет устройств поставщика | - |
| Вес | - |
| Страна происхождения | - |
| Образ | номер части | Производители | Описание | Посмотреть |
|---|---|---|---|---|
|
MT29F1T208ECCBBJ4-37:B | Micron Technology Inc. | IC FLASH 1.125T PARALLEL 267MHZ | подробности |
|
MT29F1T208ECCBBJ4-37:B TR | Micron Technology Inc. | IC FLASH 1.125TBIT 267MHZ 132BGA | подробности |
|
MT29F1T208ECCBBJ4-37ES:B TR | Micron Technology Inc. | IC FLASH 1.125TBIT 267MHZ 132BGA | подробности |
|
MT29F1T208ECHBBJ4-3R:B | Micron Technology Inc. | IC FLASH 1.125T PARALLEL 333MHZ | подробности |
|
MT29F1T208ECHBBJ4-3R:B TR | Micron Technology Inc. | IC FLASH 1.125TBIT 333MHZ 132BGA | подробности |
|
MT29F1T208ECHBBJ4-3RES:B TR | Micron Technology Inc. | IC FLASH 1.125TBIT 333MHZ 132BGA | подробности |
|
MT29F1T208EGCBBG1-37ES:B TR | Micron Technology Inc. | IC FLASH 1.125TBIT 267MHZ 272BGA | подробности |
|
MT29F1T208EGHBBG1-3R:B TR | Micron Technology Inc. | IC FLASH 1.125TBIT 333MHZ 272BGA | подробности |
|
MT29F1T208EGHBBG1-3RES:B TR | Micron Technology Inc. | IC FLASH 1.125TBIT 333MHZ 272BGA | подробности |
