MT29F1T08EMHAFJ4-3RES:A TR - Micron Technology Inc.

номер части	MT29F1T08EMHAFJ4-3RES:A TR
Статус детали	Active
Тип памяти	Non-Volatile
Формат памяти	FLASH
Технологии	FLASH - NAND
Размер памяти	1Tb (128G x 8)
Частота часов	333MHz
Время цикла записи - слово, страница	-
Время доступа	-
Интерфейс памяти	Parallel
Напряжение - Поставка	2.5V ~ 3.6V
Рабочая Температура	0°C ~ 70°C (TA)
Тип монтажа	-
Упаковка / чехол	-
Пакет устройств поставщика	-
Вес	-
Страна происхождения	-

номер части	Производители	Описание	Посмотреть
MT29F1T08CLHBBG1-3R:B	Micron Technology Inc.	MLC 1T 128GX8 FBGA QDP	подробности
MT29F1T08CLHBBG1-3R:B TR	Micron Technology Inc.	MLC 1T 128GX8 FBGA QDP	подробности
MT29F1T08CLHBBG1-3RES:B TR	Micron Technology Inc.	IC FLASH 1TBIT 333MHZ 272VBGA	подробности
MT29F1T08CMCBBJ4-37:B	Micron Technology Inc.	IC FLASH 1T PARALLEL 267MHZ	подробности
MT29F1T08CMCBBJ4-37:B TR	Micron Technology Inc.	IC FLASH 1TBIT 267MHZ 132VBGA	подробности
MT29F1T08CMCBBJ4-37ES:B TR	Micron Technology Inc.	IC FLASH 1TBIT 267MHZ 132VBGA	подробности
MT29F1T08CMHBBJ4-3R:B	Micron Technology Inc.	IC FLASH 1T PARALLEL 333MHZ	подробности
MT29F1T08CMHBBJ4-3R:B TR	Micron Technology Inc.	IC FLASH 1TBIT 333MHZ 132VBGA	подробности
MT29F1T08CMHBBJ4-3RES:B TR	Micron Technology Inc.	IC FLASH 1TBIT 333MHZ 132VBGA	подробности
MT29F1T08CPCABH8-6:A	Micron Technology Inc.	IC FLASH 1TBIT 167MHZ 152LBGA	подробности