| номер части | MT29E3T08EUHBBM4-3:B |
|---|---|
| Статус детали | Active |
| Тип памяти | Non-Volatile |
| Формат памяти | FLASH |
| Технологии | FLASH - NAND |
| Размер памяти | 3Tb (384G x 8) |
| Частота часов | 333MHz |
| Время цикла записи - слово, страница | - |
| Время доступа | - |
| Интерфейс памяти | Parallel |
| Напряжение - Поставка | 2.5V ~ 3.6V |
| Рабочая Температура | 0°C ~ 70°C (TA) |
| Тип монтажа | - |
| Упаковка / чехол | - |
| Пакет устройств поставщика | - |
| Вес | - |
| Страна происхождения | - |
| Образ | номер части | Производители | Описание | Посмотреть |
|---|---|---|---|---|
|
MT29E3T08EQHBBG2-3:B | Micron Technology Inc. | IC FLASH 3TBIT 333MHZ 272TBGA | подробности |
|
MT29E3T08EQHBBG2-3ES:B | Micron Technology Inc. | IC FLASH 3TBIT 333MHZ 272TBGA | подробности |
|
MT29E3T08EUHBBM4-3:B | Micron Technology Inc. | IC FLASH 3T PARALLEL 333MHZ | подробности |
|
MT29E3T08EUHBBM4-3:B TR | Micron Technology Inc. | IC FLASH 3TBIT 333MHZ 132LBGA | подробности |
|
MT29E3T08EUHBBM4-3ES:B TR | Micron Technology Inc. | IC FLASH 3TBIT 333MHZ 132LBGA | подробности |
