| номер части | MT29E2T08CUHBBM4-3ES:B TR |
|---|---|
| Статус детали | Active |
| Тип памяти | Non-Volatile |
| Формат памяти | FLASH |
| Технологии | FLASH - NAND |
| Размер памяти | 2Tb (256G x 8) |
| Частота часов | 333MHz |
| Время цикла записи - слово, страница | - |
| Время доступа | - |
| Интерфейс памяти | Parallel |
| Напряжение - Поставка | 2.5 V ~ 3.6 V |
| Рабочая Температура | 0°C ~ 70°C (TA) |
| Тип монтажа | - |
| Упаковка / чехол | - |
| Пакет устройств поставщика | - |
| Вес | - |
| Страна происхождения | - |
| Образ | номер части | Производители | Описание | Посмотреть |
|---|---|---|---|---|
|
MT29E2T08CTCBBJ7-6:B TR | Micron Technology Inc. | IC FLASH 2TBIT 167MHZ 152LBGA | подробности |
|
MT29E2T08CTCCBJ7-6:C | Micron Technology Inc. | IC FLASH 2T PARALLEL 167MHZ | подробности |
|
MT29E2T08CTCCBJ7-6:C TR | Micron Technology Inc. | IC FLASH 2TBIT 167MHZ 152LBGA | подробности |
|
MT29E2T08CUHBBM4-3:B | Micron Technology Inc. | IC FLASH 2T PARALLEL 333MHZ | подробности |
|
MT29E2T08CUHBBM4-3:B TR | Micron Technology Inc. | IC FLASH 2TBIT 333MHZ 132LBGA | подробности |
|
MT29E2T08CUHBBM4-3ES:B TR | Micron Technology Inc. | IC FLASH 2TBIT 333MHZ 132LBGA | подробности |
