• русский
      Language Translation
    • English
    • Deutschl
    • Italia
    • France
    • España
    • 대한민국
    • 日本语
    • русский
Главная › Категории продукта › Интегральные схемы (ИС) › Память › ECF840AAACN-C2-Y3
ECF840AAACN-C2-Y3

ECF840AAACN-C2-Y3 - Micron Technology Inc.

номер части
ECF840AAACN-C2-Y3
производитель
Micron Technology Inc.
Краткое описание
IC DRAM 8G PARALLEL
Бессвинцовый статус / RoHS Статус
Бессвинцовый / Соответствует RoHS
Онлайн-просмотр данных
ECF840AAACN-C2-Y3 Просмотр PDF в Интернете
Скачать PDF-файл
-
категория
Память
Срок поставки
1 Day
Код даты
New
Количество на складе
44335 pcs
Справочная цена
USD 0/pcs
Наша цена
Отправить по электронной почте: [email protected]

Пожалуйста, заполните форму ниже, чтобы запросить котировку ECF840AAACN-C2-Y3

ECF840AAACN-C2-Y3 Подробное описание

номер части ECF840AAACN-C2-Y3
Статус детали Obsolete
Тип памяти Volatile
Формат памяти DRAM
Технологии SDRAM - Mobile LPDDR3
Размер памяти 8Gb (512M x 16)
Частота часов -
Время цикла записи - слово, страница -
Время доступа -
Интерфейс памяти Parallel
Напряжение - Поставка 1.14V ~ 1.95V
Рабочая Температура -
Тип монтажа -
Упаковка / чехол -
Пакет устройств поставщика -
Вес -
Страна происхождения -

СВЯЗАННЫЕ ПРОДУКТЫ ДЛЯ ECF840AAACN-C2-Y3

Образ номер части Производители Описание Посмотреть
ECF840AAACN-C1-Y3 ECF840AAACN-C1-Y3 Micron Technology Inc. IC DRAM 8G PARALLEL подробности
ECF840AAACN-C2-Y3 ECF840AAACN-C2-Y3 Micron Technology Inc. IC DRAM 8G PARALLEL подробности