| номер части | S1B-LTP |
|---|---|
| Статус детали | Active |
| Тип диода | Standard |
| Напряжение - Реверс постоянного тока (Vr) (макс.) | 100V |
| Текущий - средний отрегулированный (Io) | 1A |
| Напряжение - Вперед (Vf) (Макс.) @ Если | 1.1V @ 1A |
| скорость | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) |
| Время обратного восстановления (trr) | 2µs |
| Текущий - обратный утечек @ Vr | 5µA @ 100V |
| Емкость @ Vr, F | 12pF @ 4V, 1MHz |
| Тип монтажа | Surface Mount |
| Упаковка / чехол | DO-214AA, SMB |
| Пакет устройств поставщика | DO-214AA, HSMB |
| Рабочая температура - Соединение | -55°C ~ 150°C |
| Вес | - |
| Страна происхождения | - |
| Образ | номер части | Производители | Описание | Посмотреть |
|---|---|---|---|---|
 |
S1B | Fairchild/ON Semiconductor | DIODE GEN PURP 100V 1A SMA | подробности |
 |
S1B M2G | Taiwan Semiconductor Corporation | DIODE GEN PURP 100V 1A DO214AC | подробности |
|
S1B R3G | Taiwan Semiconductor Corporation | DIODE GEN PURP 100V 1A DO214AC | подробности |
 |
S1B-13 | Diodes Incorporated | DIODE GEN PURP 100V 1A SMA | подробности |
|
S1B-13-F | Diodes Incorporated | DIODE GEN PURP 100V 1A SMA | подробности |
 |
S1B-13-G | DIODES | S1B-13-G DIODES SMA New Original Stocks | подробности |
|
S1B-E3 | VISHAY | S1B-E3 VISHAY DO214A.. New Original Stocks | подробности |
 |
S1B-E3/51T | Vishay Semiconductor Diodes Division | DIODE GEN PURP 100V 1A DO214AC | подробности |
|
S1B-E3/5AT | Vishay Semiconductor Diodes Division | DIODE GEN PURP 100V 1A DO214AC | подробности |
|
S1B-E3/61T | Vishay Semiconductor Diodes Division | DIODE GEN PURP 100V 1A DO214AC | подробности |
