• русский
      Language Translation
    • English
    • Deutschl
    • Italia
    • France
    • España
    • 대한민국
    • 日本语
    • русский
Главная › Категории продукта › Дискретный полупроводник › Транзисторы - IGBT - Модули › MIXA61H1200ED
MIXA61H1200ED

MIXA61H1200ED - IXYS

номер части
MIXA61H1200ED
производитель
IXYS
Краткое описание
IGBT MODULE 1200V 60A
Бессвинцовый статус / RoHS Статус
Бессвинцовый / Соответствует RoHS
Онлайн-просмотр данных
MIXA61H1200ED Просмотр PDF в Интернете
Скачать PDF-файл
-
категория
Транзисторы - IGBT - Модули
Срок поставки
1 Day
Код даты
New
Количество на складе
419 pcs
Справочная цена
USD 60.94/pcs
Наша цена
Отправить по электронной почте: [email protected]

Пожалуйста, заполните форму ниже, чтобы запросить котировку MIXA61H1200ED

MIXA61H1200ED Подробное описание

номер части MIXA61H1200ED
Статус детали Active
Тип IGBT PT
конфигурация Full Bridge Inverter
Напряжение - Разрыв эмиттера коллектора (макс.) 1200V
Ток - коллектор (Ic) (макс.) 85A
Мощность - макс. 290W
Vce (вкл.) (Макс.) @ Vge, Ic 2.1V @ 15V, 55A
Ток - отсечка коллектора (макс.) 500µA
Входная емкость (Cies) @ Vce -
вход Standard
Термистор NTC No
Рабочая Температура -40°C ~ 125°C (TJ)
Тип монтажа Chassis Mount
Упаковка / чехол E2
Пакет устройств поставщика E2
Вес -
Страна происхождения -

СВЯЗАННЫЕ ПРОДУКТЫ ДЛЯ MIXA61H1200ED

Образ номер части Производители Описание Посмотреть
MIXA600PF650TSF MIXA600PF650TSF IXYS IGBT MODULE 650V 490A подробности
MIXA60HU1200VA MIXA60HU1200VA IXYS IGBT MODULE 1200V 60A подробности
MIXA60W1200TED MIXA60W1200TED IXYS IGBT MODULE 1200V 60A подробности
MIXA60WB1200TEH MIXA60WB1200TEH IXYS IGBT MODULE 1200V 60A подробности
MIXA61H1200ED MIXA61H1200ED IXYS IGBT MODULE 1200V 60A подробности