• русский
      Language Translation
    • English
    • Deutschl
    • Italia
    • France
    • España
    • 대한민국
    • 日本语
    • русский
Главная › Категории продукта › Дискретный полупроводник › Транзисторы - IGBT - Модули › MIXA30WB1200TED
MIXA30WB1200TED

MIXA30WB1200TED - IXYS

номер части
MIXA30WB1200TED
производитель
IXYS
Краткое описание
IGBT MODULE 1200V 30A
Бессвинцовый статус / RoHS Статус
Бессвинцовый / Соответствует RoHS
Онлайн-просмотр данных
MIXA30WB1200TED Просмотр PDF в Интернете
Скачать PDF-файл
-
категория
Транзисторы - IGBT - Модули
Срок поставки
1 Day
Код даты
New
Количество на складе
428 pcs
Справочная цена
USD 60.7433/pcs
Наша цена
Отправить по электронной почте: [email protected]

Пожалуйста, заполните форму ниже, чтобы запросить котировку MIXA30WB1200TED

MIXA30WB1200TED Подробное описание

номер части MIXA30WB1200TED
Статус детали Active
Тип IGBT PT
конфигурация Three Phase Inverter with Brake
Напряжение - Разрыв эмиттера коллектора (макс.) 1200V
Ток - коллектор (Ic) (макс.) 43A
Мощность - макс. 150W
Vce (вкл.) (Макс.) @ Vge, Ic 2.1V @ 15V, 25A
Ток - отсечка коллектора (макс.) 1.5mA
Входная емкость (Cies) @ Vce -
вход Three Phase Bridge Rectifier
Термистор NTC Yes
Рабочая Температура -40°C ~ 125°C (TJ)
Тип монтажа Chassis Mount
Упаковка / чехол E2
Пакет устройств поставщика E2
Вес -
Страна происхождения -

СВЯЗАННЫЕ ПРОДУКТЫ ДЛЯ MIXA30WB1200TED

Образ номер части Производители Описание Посмотреть
MIXA300PF1200TSF MIXA300PF1200TSF IXYS IGBT MODULE 1200V 325A подробности
MIXA30W1200TED MIXA30W1200TED IXYS IGBT MODULE 1200V 30A подробности
MIXA30W1200TMH MIXA30W1200TMH IXYS IGBT MODULE 1200V 30A подробности
MIXA30W1200TML MIXA30W1200TML IXYS IGBT MODULE 1200V 30A подробности
MIXA30WB1200TED MIXA30WB1200TED IXYS IGBT MODULE 1200V 30A подробности