IXTY2N100P - IXYS

номер части	IXTY2N100P
Статус детали	Active
Тип полевого транзистора	N-Channel
Технологии	MOSFET (Metal Oxide)
Слив к источнику напряжения (Vdss)	1000V
Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C	2A (Tc)
Напряжение привода (Макс. Rds Вкл., Мин. Вкл.)	10V
Vgs (th) (Max) @ Id	4.5V @ 100µA
Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs	24.3nC @ 10V
Входная емкость (Ciss) (Макс.) @ Vds	655pF @ 25V
Vgs (Макс.)	±20V
Функция FET	-
Рассеиваемая мощность (макс.)	86W (Tc)
Rds On (Макс.) @ Id, Vgs	7.5 Ohm @ 500mA, 10V
Рабочая Температура	-55°C ~ 150°C (TJ)
Тип монтажа	Surface Mount
Пакет устройств поставщика	TO-252, (D-Pak)
Упаковка / чехол	TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Вес	-
Страна происхождения	-

номер части	Производители	Описание	Посмотреть
IXTY01N100	IXYS	MOSFET N-CH 1000V 0.1A DPAK	подробности
IXTY01N100D	IXYS	MOSFET N-CH 1000V 0.1A TO-252AA	подробности
IXTY01N80	IXYS	MOSFET N-CH 800V 0.1A TO-252AA	подробности
IXTY02N120P	IXYS	MOSFET N-CH 1200V 0.2A DPAK	подробности
IXTY02N50D	IXYS	MOSFET N-CH 500V 0.2A DPAK	подробности
IXTY02N50D TRL	IXYS	MOSFET N-CH	подробности
IXTY06N120P	IXYS	MOSFET N-CH 1200V 90A TO-252	подробности
IXTY08N100D2	IXYS	MOSFET N-CH 1000V 800MA DPAK	подробности
IXTY08N100P	IXYS	MOSFET N-CH 1000V 800MA TO-252	подробности
IXTY08N120P	IXYS	MOSFET N-CH 1200V 8A TO-220	подробности