IXTX110N20L2 - IXYS

номер части	IXTX110N20L2
Статус детали	Active
Тип полевого транзистора	N-Channel
Технологии	MOSFET (Metal Oxide)
Слив к источнику напряжения (Vdss)	200V
Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C	110A (Tc)
Напряжение привода (Макс. Rds Вкл., Мин. Вкл.)	10V
Vgs (th) (Max) @ Id	4.5V @ 3mA
Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs	500nC @ 10V
Входная емкость (Ciss) (Макс.) @ Vds	23000pF @ 25V
Vgs (Макс.)	±20V
Функция FET	-
Рассеиваемая мощность (макс.)	960W (Tc)
Rds On (Макс.) @ Id, Vgs	24 mOhm @ 55A, 10V
Рабочая Температура	-55°C ~ 150°C (TJ)
Тип монтажа	Through Hole
Пакет устройств поставщика	PLUS247™-3
Упаковка / чехол	TO-247-3
Вес	-
Страна происхождения	-

номер части	Производители	Описание	Посмотреть
IXTX102N65X2	IXYS	MOSFET N-CH 650V 102A X2 PLUS247	подробности
IXTX110N20L2	IXYS	MOSFET N-CH 200V 110A PLUS247	подробности
IXTX120N65X2	IXYS	MOSFET N-CH 650V 120A PLUS247	подробности
IXTX120P20T	IXYS	MOSFET P-CH 200V 120A PLUS247	подробности
IXTX170P10P	IXYS	MOSFET P-CH 100V 170A PLUS247	подробности
IXTX17N120L	IXYS	MOSFET N-CH 1200V 17A PLUS247	подробности
IXTX1R4N450HV	IXYS	2500V TO 4500V VERY HI VOLT PWR	подробности
IXTX200N10L2	IXYS	MOSFET N-CH 100V 200A PLUS247	подробности
IXTX20N150	IXYS	MOSFET N-CH 1500V 20A PLUS247	подробности
IXTX210P10T	IXYS	MOSFET P-CH 100V 210A PLUS247	подробности