IXTR32P60P - IXYS

номер части	IXTR32P60P
Статус детали	Active
Тип полевого транзистора	P-Channel
Технологии	MOSFET (Metal Oxide)
Слив к источнику напряжения (Vdss)	600V
Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C	18A (Tc)
Напряжение привода (Макс. Rds Вкл., Мин. Вкл.)	10V
Vgs (th) (Max) @ Id	4V @ 1mA
Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs	196nC @ 10V
Входная емкость (Ciss) (Макс.) @ Vds	11100pF @ 25V
Vgs (Макс.)	±20V
Функция FET	-
Рассеиваемая мощность (макс.)	310W (Tc)
Rds On (Макс.) @ Id, Vgs	385 mOhm @ 16A, 10V
Рабочая Температура	-55°C ~ 150°C (TJ)
Тип монтажа	Through Hole
Пакет устройств поставщика	ISOPLUS247™
Упаковка / чехол	ISOPLUS247™
Вес	-
Страна происхождения	-

номер части	Производители	Описание	Посмотреть
IXTR102N65X2	IXYS	MOSFET N-CH 650V 54A ISOPLUS247	подробности
IXTR120P20T	IXYS	MOSFET P-CH 200V 90A ISOPLUS247	подробности
IXTR140P10T	IXYS	MOSFET P-CH 100V 90A ISOPLUS247	подробности
IXTR16P60P	IXYS	MOSFET P-CH 600V 10A ISOPLUS247	подробности
IXTR170P10P	IXYS	MOSFET P-CH 100V 108A ISOPLUS247	подробности
IXTR200N10P	IXYS	MOSFET N-CH 100V 120A ISOPLUS247	подробности
IXTR20P50P	IXYS	MOSFET P-CH 500V 13A ISOPLUS247	подробности
IXTR210P10T	IXYS	MOSFET P-CH 100V 158A ISOPLUS247	подробности
IXTR30N25	IXYS	MOSFET N-CH 250V 25A ISOPLUS247	подробности
IXTR32P60P	IXYS	MOSFET P-CH 600V 18A ISOPLUS247	подробности