IXTQ50N20P Подробное описание
| номер части |
IXTQ50N20P |
| Статус детали |
Active |
| Тип полевого транзистора |
N-Channel |
| Технологии |
MOSFET (Metal Oxide) |
| Слив к источнику напряжения (Vdss) |
200V |
| Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C |
50A (Tc) |
| Напряжение привода (Макс. Rds Вкл., Мин. Вкл.) |
10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id |
5V @ 250µA |
| Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs |
70nC @ 10V |
| Входная емкость (Ciss) (Макс.) @ Vds |
2720pF @ 25V |
| Vgs (Макс.) |
±20V |
| Функция FET |
- |
| Рассеиваемая мощность (макс.) |
360W (Tc) |
| Rds On (Макс.) @ Id, Vgs |
60 mOhm @ 50A, 10V |
| Рабочая Температура |
-55°C ~ 175°C (TJ) |
| Тип монтажа |
Through Hole |
| Пакет устройств поставщика |
TO-3P |
| Упаковка / чехол |
TO-3P-3, SC-65-3 |
| Вес |
- |
| Страна происхождения |
- |
СВЯЗАННЫЕ ПРОДУКТЫ ДЛЯ IXTQ50N20P
