IXTQ160N10T - IXYS

номер части	IXTQ160N10T
Статус детали	Active
Тип полевого транзистора	N-Channel
Технологии	MOSFET (Metal Oxide)
Слив к источнику напряжения (Vdss)	100V
Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C	160A (Tc)
Напряжение привода (Макс. Rds Вкл., Мин. Вкл.)	10V
Vgs (th) (Max) @ Id	4.5V @ 250µA
Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs	132nC @ 10V
Входная емкость (Ciss) (Макс.) @ Vds	6600pF @ 25V
Vgs (Макс.)	±30V
Функция FET	-
Рассеиваемая мощность (макс.)	430W (Tc)
Rds On (Макс.) @ Id, Vgs	7 mOhm @ 25A, 10V
Рабочая Температура	-55°C ~ 175°C (TJ)
Тип монтажа	Through Hole
Пакет устройств поставщика	TO-3P
Упаковка / чехол	TO-3P-3, SC-65-3
Вес	-
Страна происхождения	-

номер части	Производители	Описание	Посмотреть
IXTQ100N25P	IXYS	MOSFET N-CH 250V 100A TO-3P	подробности
IXTQ102N15T	IXYS	MOSFET N-CH 150V 102A TO-3P	подробности
IXTQ102N20T	IXYS	MOSFET N-CH 200V 102A TO3P	подробности
IXTQ102N25T	IXYS	MOSFET N-CH 250V 102A TO-3P	подробности
IXTQ10P50P	IXYS	MOSFET P-CH 500V 10A TO-3P	подробности
IXTQ110N055P	IXYS	MOSFET N-CH 55V 110A TO-3P	подробности
IXTQ110N10P	IXYS	MOSFET N-CH 100V 110A TO-3P	подробности
IXTQ120N15P	IXYS	MOSFET N-CH 150V 120A TO-3P	подробности
IXTQ120N15T	IXYS	MOSFET N-CH 150V 120A TO-3P	подробности
IXTQ120N20P	IXYS	MOSFET N-CH 200V 120A TO-3P	подробности