IXTF200N10T - IXYS

номер части	IXTF200N10T
Статус детали	Active
Тип полевого транзистора	N-Channel
Технологии	MOSFET (Metal Oxide)
Слив к источнику напряжения (Vdss)	100V
Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C	90A (Tc)
Напряжение привода (Макс. Rds Вкл., Мин. Вкл.)	10V
Vgs (th) (Max) @ Id	4.5V @ 250µA
Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs	152nC @ 10V
Входная емкость (Ciss) (Макс.) @ Vds	9400pF @ 25V
Vgs (Макс.)	±30V
Функция FET	-
Рассеиваемая мощность (макс.)	156W (Tc)
Rds On (Макс.) @ Id, Vgs	7 mOhm @ 50A, 10V
Рабочая Температура	-55°C ~ 175°C (TJ)
Тип монтажа	Through Hole
Пакет устройств поставщика	ISOPLUS i4-PAC™
Упаковка / чехол	i4-Pac™-5
Вес	-
Страна происхождения	-

номер части	Производители	Описание	Посмотреть
IXTF02N450	IXYS	MOSFET N-CH 4500V 0.2A I4PAK	подробности
IXTF03N400	IXYS	MOSFET N-CH 4000V 300MA I4PAK	подробности
IXTF1N400	IXYS	MOSFET N-CH 4000V 1A ISOPLUS I4	подробности
IXTF1N450	IXYS	MOSFET N-CH 4500V 0.9A I4PAK	подробности
IXTF1R4N450	IXYS	2500V TO 4500V VERY HI VOLT PWR	подробности
IXTF200N10T	IXYS	MOSFET N-CH 100V 90A I4-PAC-5	подробности
IXTF230N085T	IXYS	MOSFET N-CH 85V 130A ISOPLUS I4	подробности
IXTF250N075T	IXYS	MOSFET N-CH 75V 140A ISOPLUS I4	подробности
IXTF280N055T	IXYS	MOSFET N-CH 55V 160A ISOPLUS I4	подробности
IXTF2N300P3	IXYS	MOSFET N-CH	подробности