IXFP6N120P - IXYS

номер части	IXFP6N120P
Статус детали	Active
Тип полевого транзистора	N-Channel
Технологии	MOSFET (Metal Oxide)
Слив к источнику напряжения (Vdss)	1200V
Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C	6A (Tc)
Напряжение привода (Макс. Rds Вкл., Мин. Вкл.)	10V
Vgs (th) (Max) @ Id	5V @ 1mA
Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs	92nC @ 10V
Входная емкость (Ciss) (Макс.) @ Vds	2830pF @ 25V
Vgs (Макс.)	±30V
Функция FET	-
Рассеиваемая мощность (макс.)	250W (Tc)
Rds On (Макс.) @ Id, Vgs	2.4 Ohm @ 500mA, 10V
Рабочая Температура	-55°C ~ 150°C (TJ)
Тип монтажа	Through Hole
Пакет устройств поставщика	TO-220AB
Упаковка / чехол	TO-220-3
Вес	-
Страна происхождения	-

номер части	Производители	Описание	Посмотреть
IXFP102N15T	IXYS	MOSFET N-CH 150V 102A TO-220	подробности
IXFP10N60P	IXYS	MOSFET N-CH 600V 10A TO-220	подробности
IXFP10N80P	IXYS	MOSFET N-CH 800V 10A TO-220	подробности
IXFP110N15T2	IXYS	MOSFET N-CH 150V 110A TO-220	подробности
IXFP12N50P	IXYS	MOSFET N-CH 500V 12A TO-220	подробности
IXFP12N50PM	IXYS	MOSFET N-CH 500V 6A TO-220	подробности
IXFP12N65X2	IXYS	MOSFET N-CH	подробности
IXFP130N10T	IXYS	MOSFET N-CH 100V 130A TO-220	подробности
IXFP130N10T2	IXYS	MOSFET N-CH 100V 130A TO-220	подробности
IXFP130N15X3	IXYS	MOSFET N-CH	подробности