IXFL38N100P - IXYS

номер части	IXFL38N100P
Статус детали	Active
Тип полевого транзистора	N-Channel
Технологии	MOSFET (Metal Oxide)
Слив к источнику напряжения (Vdss)	1000V
Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C	29A (Tc)
Напряжение привода (Макс. Rds Вкл., Мин. Вкл.)	10V
Vgs (th) (Max) @ Id	6.5V @ 1mA
Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs	350nC @ 10V
Входная емкость (Ciss) (Макс.) @ Vds	24000pF @ 25V
Vgs (Макс.)	±30V
Функция FET	-
Рассеиваемая мощность (макс.)	520W (Tc)
Rds On (Макс.) @ Id, Vgs	230 mOhm @ 19A, 10V
Рабочая Температура	-55°C ~ 150°C (TJ)
Тип монтажа	Through Hole
Пакет устройств поставщика	ISOPLUSi5-Pak™
Упаковка / чехол	ISOPLUSi5-Pak™
Вес	-
Страна происхождения	-

номер части	Производители	Описание	Посмотреть
IXFL100N50P	IXYS	MOSFET N-CH 500V 70A ISOPLUS264	подробности
IXFL132N50P3	IXYS	MOSFET N-CH 500V 63A ISOPLUS264	подробности
IXFL210N30P3	IXYS	MOSFET N-CH 300V 108A TO-264	подробности
IXFL30N120P	IXYS	MOSFET N-CH 1200V 18A I5-PAK	подробности
IXFL32N120P	IXYS	MOSFET N-CH 1200V 24A I5-PAK	подробности
IXFL34N100	IXYS	MOSFET N-CH 1000V 30A ISOPLUS264	подробности
IXFL38N100P	IXYS	MOSFET N-CH 1000V 29A I5-PAK	подробности
IXFL38N100Q2	IXYS	MOSFET N-CH 1000V 29A ISOPLUS264	подробности
IXFL39N90	IXYS	MOSFET N-CH 900V 34A ISOPLUS264	подробности
IXFL40N110P	IXYS	MOSFET N-CH 1100V 21A ISOPLUS264	подробности